Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIHP080N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP080N60E-GE3

Номер детали производителя SIHP080N60E-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Упаковка TO-220AB
В наличии 47638 pcs
Техническая спецификация SIHP080N60E
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$1.762 $1.584 $1.298 $1.105 $0.932 $0.885
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 47638 Vishay Siliconix SIHP080N60E-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220AB
Серии E
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 17A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 227W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2557 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 35A (Tc)

Рекомендуемые продукты

SIHP080N60E-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIHP080N60E-GE3

Связанные детали для SIHP080N60E-GE3