Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIHFBF30S-GE3
Vishay Siliconix

SIHFBF30S-GE3

Номер детали производителя SIHFBF30S-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CHANNEL 900V
Упаковка D²PAK (TO-263)
В наличии 102277 pcs
Техническая спецификация SiHFBF30S
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500
$0.66 $0.594 $0.478 $0.392
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 102277 Vishay Siliconix SIHFBF30S-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D²PAK (TO-263)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Рассеиваемая мощность (макс) 125W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 900 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.6A (Tc)

Рекомендуемые продукты

SIHFBF30S-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIHFBF30S-GE3

Связанные детали для SIHFBF30S-GE3