Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIHF640S-GE3
SIHF640S-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SIHF640S-GE3

Номер детали производителя SIHF640S-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Упаковка D²PAK (TO-263)
В наличии 98668 pcs
Техническая спецификация IRF640S(L)/SIHF640S(L)
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.851 $0.763 $0.613 $0.504 $0.418 $0.389 $0.374 $0.365
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 98668 Vishay Siliconix SIHF640S-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D²PAK (TO-263)
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18A (Tc)
Базовый номер продукта SIHF640

Рекомендуемые продукты

SIHF640S-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация