Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI9945BDY-T1-GE3

Номер детали производителя	SI9945BDY-T1-GE3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Упаковка	8-SOIC
В наличии	239965 pcs
Техническая спецификация	New Solder Plating Site 18/Apr/2023 SI9945BDY

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.308	$0.277	$0.216	$0.178	$0.141

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 239965 Vishay Siliconix SI9945BDY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	8-SOIC
Серии	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 4.3A, 10V
Мощность - Макс	3.1W
Упаковка /	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	665pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	20nC @ 10V
FET Характеристика	Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	5.3A
конфигурация	2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта	SI9945