Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI9934BDY-T1-GE3

Номер детали производителя	SI9934BDY-T1-GE3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
Упаковка	8-SOIC
В наличии	5936 pcs
Техническая спецификация	SIL-0632014 16/Apr/2014

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5936 Vishay Siliconix SI9934BDY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	8-SOIC
Серии	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 6.4A, 4.5V
Мощность - Макс	1.1W
Упаковка /	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	-
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	20nC @ 4.5V
FET Характеристика	Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS)	12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	4.8A
конфигурация	2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта	SI9934