Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI8812DB-T2-E1

Номер детали производителя	SI8812DB-T2-E1
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Упаковка	4-Microfoot
В наличии	673982 pcs
Техническая спецификация	Material Compliance Si8812DB

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500	1000
$0.155	$0.134	$0.1	$0.079	$0.061

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 673982 Vishay Siliconix SI8812DB-T2-E1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (макс.)	±5V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	4-Microfoot
Серии	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59mOhm @ 1A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)	500mW (Ta)
Упаковка /	4-UFBGA
Упаковка	Tape & Reel (TR)

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	17 nC @ 8 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	2.3A (Ta)
Базовый номер продукта	SI8812