Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI8809EDB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8809EDB-T2-E1

Номер детали производителя SI8809EDB-T2-E1
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
Упаковка 4-Microfoot
В наличии 5448 pcs
Техническая спецификация Material ComplianceSI8809EDB-T2-E1
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5448 Vishay Siliconix SI8809EDB-T2-E1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Vgs (макс.) ±8V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 4-Microfoot
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 500mW (Ta)
Упаковка / 4-XFBGA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 15 nC @ 8 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.94 (Ta)
Базовый номер продукта SI8809

Рекомендуемые продукты

SI8809EDB-T2-E1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI8809EDB-T2-E1

Связанные детали для SI8809EDB-T2-E1