Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SI7842DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7842DP-T1-GE3

Номер детали производителя SI7842DP-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
Упаковка PowerPAK® SO-8 Dual
В наличии 5764 pcs
Техническая спецификация PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014Si7842DP
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5764 Vishay Siliconix SI7842DP-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® SO-8 Dual
Серии LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V
Мощность - Макс 1.4W
Упаковка / PowerPAK® SO-8 Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds -
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6.3A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SI7842

Рекомендуемые продукты

SI7842DP-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация