Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI7820DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7820DN-T1-GE3

Номер детали производителя SI7820DN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Упаковка PowerPAK® 1212-8
В наличии 123784 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.636 $0.571 $0.459 $0.377 $0.312
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 123784 Vishay Siliconix SI7820DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 2.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.5W (Ta)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.7A (Ta)
Базовый номер продукта SI7820

Рекомендуемые продукты

SI7820DN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI7820DN-T1-GE3

Связанные детали для SI7820DN-T1-GE3