Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI5411EDU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5411EDU-T1-GE3

Номер детали производителя SI5411EDU-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
Упаковка PowerPAK® ChipFet Single
В наличии 5959 pcs
Техническая спецификация Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018Mult Devs Assembly Location 31/Jan/2023SI5411EDU
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5959 Vishay Siliconix SI5411EDU-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Vgs (макс.) ±8V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® ChipFet Single
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 6A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® ChipFET™ Single
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4100 pF @ 6 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 105 nC @ 8 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 12 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 25A (Tc)
Базовый номер продукта SI5411

Рекомендуемые продукты

SI5411EDU-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI5411EDU-T1-GE3

Связанные детали для SI5411EDU-T1-GE3