Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI5402DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5402DC-T1-E3

Номер детали производителя SI5402DC-T1-E3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Упаковка 1206-8 ChipFET™
В наличии 4276 pcs
Техническая спецификация PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013Material ComplianceSI5402DC
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 4276 Vishay Siliconix SI5402DC-T1-E3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 1206-8 ChipFET™
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.3W (Ta)
Упаковка / 8-SMD, Flat Lead
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.9A (Ta)
Базовый номер продукта SI5402

Рекомендуемые продукты

SI5402DC-T1-E3 DataSheet PDF

Техническая спецификация