SI4431CDY-T1-E3
| Номер детали производителя | SI4431CDY-T1-E3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET P-CH 30V 9A 8SO |
| Упаковка | 8-SOIC |
| В наличии | 246024 pcs |
| Техническая спецификация | New Solder Plating Site 18/Apr/2023SI4431CDY |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.41 | $0.368 | $0.287 | $0.237 | $0.187 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 246024 Vishay Siliconix SI4431CDY-T1-E3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 8-SOIC |
| Серии | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 7A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 4.2W (Tc) |
| Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1006 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Тип FET | P-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SI4431 |
Рекомендуемые продукты
-
SI4431BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOVishay Siliconix -
SI4431-B1-FMR
IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSilicon Labs -
SI4432-V2-FMR
IC RF TXRX ISM 20VFQFNSilicon Labs -
SI4435BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOVishay Siliconix -
SI4432-V2-FM
IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSilicon Labs -
SI4431BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOVishay Siliconix -
SI4434DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SOVishay Siliconix -
SI4431CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOVishay Siliconix -
SI4434DY-T1-E3
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SOVishay Siliconix -
SI4430BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOVishay Siliconix -
SI4434ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SOVishay Siliconix -
SI4430-B1-FMR
IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSilicon Labs -
SI4430BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOVishay Siliconix -
SI4431-A0-FMR
+13 DBM SUB-GHZ TRANSMITTERSilicon Labs -
SI4431-B1-FM
IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSilicon Labs -
SI4432-B1-FM
IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSilicon Labs -
SI4431-A0-FM
IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSilicon Labs -
SI4431DY
P-CHANNEL MOSFETFairchild Semiconductor -
SI4432-B1-FMR
IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSilicon Labs -
SI4430-B1-FM
IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFNSilicon Labs