Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI4425FDY-T1-GE3
SI4425FDY-T1-GE3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI4425FDY-T1-GE3

Номер детали производителя SI4425FDY-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
Упаковка 8-SOIC
В наличии 395870 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 07/Jun/2023New solder paste 26/May/2023SI4425FDY
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.252 $0.223 $0.171 $0.135 $0.108
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 395870 Vishay Siliconix SI4425FDY-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (макс.) +16V, -20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOIC
Серии TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.3W (Ta), 4.8W (Tc)
Упаковка / 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1620 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12.7A (Ta), 18.3A (Tc)
Базовый номер продукта SI4425

Рекомендуемые продукты

SI4425FDY-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация