Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SI2392DS-T1-GE3

Номер детали производителя	SI2392DS-T1-GE3
производитель	Vishay Siliconix
Подробное описание	MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
Упаковка	SOT-23
В наличии	5997 pcs
Техническая спецификация	SI2392DS Material Compliance

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 5997 Vishay Siliconix SI2392DS-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	SOT-23
Серии	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	126mOhm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Упаковка /	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	196 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	10.4 nC @ 10 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	3.1A (Tc)
Базовый номер продукта	SI2392