Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SI2387DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2387DS-T1-GE3

Номер детали производителя SI2387DS-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
Упаковка SOT-23-3 (TO-236)
В наличии 541368 pcs
Техническая спецификация Material ComplianceNew Solder Plating Site 18/Apr/2023SI2387DS
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.201 $0.163 $0.111 $0.083 $0.062
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 541368 Vishay Siliconix SI2387DS-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SOT-23-3 (TO-236)
Серии TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 164mOhm @ 2.1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 395 pF @ 40 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 10.2 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 80 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 2.1A (Ta), 3A (Tc)

Рекомендуемые продукты

SI2387DS-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SI2387DS-T1-GE3

Связанные детали для SI2387DS-T1-GE3