SI2342DS-T1-GE3
Номер детали производителя | SI2342DS-T1-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay Siliconix |
Подробное описание | MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 |
Упаковка | SOT-23-3 (TO-236) |
В наличии | 562007 pcs |
Техническая спецификация | Material ComplianceNew Solder Plating Site 18/Apr/2023Si2342DS |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.187 | $0.159 | $0.118 | $0.093 | $0.072 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 562007 Vishay Siliconix SI2342DS-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±5V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | SOT-23-3 (TO-236) |
Серии | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 7.2A, 4.5V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Tc) |
Упаковка / | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1070 pF @ 4 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 15.8 nC @ 4.5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 8 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 6A (Tc) |
Базовый номер продукта | SI2342 |
Рекомендуемые продукты
-
SI2338DS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2336DS-T1-BE3
MOSFET N-CH 30V 4.3A/5.2A SOT23Vishay Siliconix -
SI2338DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23Vishay Siliconix -
SI2343CDS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2336DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2342DS-T1-BE3
N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2343DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2343DS-T1
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2347DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2343CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2347DS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2337DS-T1-BE3
P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2351DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2343DS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2337DS-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2341DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2343DS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2337DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2351DS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2341DS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3Vishay Siliconix