SI2336DS-T1-GE3
| Номер детали производителя | SI2336DS-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3 |
| Упаковка | SOT-23-3 (TO-236) |
| В наличии | 456843 pcs |
| Техническая спецификация | Material ComplianceNew Solder Plating Site 18/Apr/2023Si2336DS |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.191 | $0.162 | $0.121 | $0.095 | $0.074 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 456843 Vishay Siliconix SI2336DS-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±8V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | SOT-23-3 (TO-236) |
| Серии | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) |
| Упаковка / | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 560 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 8 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 5.2A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SI2336 |
Рекомендуемые продукты
-
SI2337DS-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2337DS-T1-BE3
P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2341DS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2342DS-T1-BE3
N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2333DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2335DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2338DS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2335DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2336DS-T1-BE3
MOSFET N-CH 30V 4.3A/5.2A SOT23Vishay Siliconix -
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2334DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2338DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23Vishay Siliconix -
SI2343CDS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2333CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2342DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23Vishay Siliconix -
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2333DS-T1-BE3
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix -
SI2341DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2337DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3Vishay Siliconix -
SI2333DDS-T1-BE3
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFETVishay Siliconix