IRLD110PBF
| Номер детали производителя | IRLD110PBF |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP |
| Упаковка | 4-HVMDIP |
| В наличии | 155586 pcs |
| Техническая спецификация | IRLD110Mult Dev 01/Feb/2023 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.679 | $0.611 | $0.491 | $0.403 | $0.334 | $0.311 | $0.3 | $0.292 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 155586 Vishay Siliconix IRLD110PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±10V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 4-HVMDIP |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 600mA, 5V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 1.3W (Ta) |
| Упаковка / | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Упаковка | Tube |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Through Hole |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.1 nC @ 5 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1A (Ta) |
| Базовый номер продукта | IRLD110 |
Рекомендуемые продукты
-
IRLD024PBF
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIPVishay Siliconix -
IRLC8256ED
MOSFET N-CH WAFERInfineon Technologies -
IRLC8743EB
MOSFET N-CH WAFERInfineon Technologies -
IRLD014
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIPVishay Siliconix -
IRLH5034TRPBF
MOSFET N-CH 40V 29A/100A 8PQFNInfineon Technologies -
IRLD014PBF
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIPVishay Siliconix -
IRLD110
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIPVishay Siliconix -
IRLG5 310X220X0.25
RF ABSORB SHEET 12.205"X8.661"TDK Corporation -
IRLC8259ED
MOSFET N-CH WAFERInfineon Technologies -
IRLH5034TR2PBF
MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFNInfineon Technologies -
IRLG5AB 300X200X0.5
RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"TDK Corporation -
IRLD024
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIPVishay Siliconix -
IRLC4030EB
MOSFET N-CH 100V DIE ON WAFERInfineon Technologies -
IRLH5030TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFNInfineon Technologies -
IRLG5AB 300X200X0.25
RF ABSORB SHEET 11.811"X7.874"TDK Corporation -
IRLH5030TR2PBF
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFNInfineon Technologies -
IRLD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIPVishay Siliconix -
IRLG5 310X220X0.5
RF ABSORB SHEET 12.205"X8.661"TDK Corporation -
IRLC8259EB
MOSFET N-CH WAFERInfineon Technologies -
IRLD120
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIPVishay Siliconix