Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRLBD59N04ETRLP
Infineon Technologies

IRLBD59N04ETRLP

Номер детали производителя IRLBD59N04ETRLP
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 40V 59A TO263-5
Упаковка TO-263-5
В наличии 3937 pcs
Техническая спецификация IRLBD59N04EPart Number Guide
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 3937 Infineon Technologies IRLBD59N04ETRLP в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±10V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-263-5
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 35A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 130W (Tc)
Упаковка / TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2190 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 50 nC @ 5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 59A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRLBD59N04ETRLP DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRLBD59N04ETRLP

Связанные детали для IRLBD59N04ETRLP