Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFBG30PBF
Vishay Siliconix

IRFBG30PBF

Номер детали производителя IRFBG30PBF
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Упаковка TO-220AB
В наличии 89442 pcs
Техническая спецификация Packaging InformationMult Dev Material Chg 30/Aug/2019
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.011 $0.909 $0.73 $0.6 $0.497 $0.463 $0.446
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 89442 Vishay Siliconix IRFBG30PBF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-220AB
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1.9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 125W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 980 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 1000 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.1A (Tc)
Базовый номер продукта IRFBG30

Рекомендуемые продукты

IRFBG30PBF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRFBG30PBF

Связанные детали для IRFBG30PBF