Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IRFBL3703
Infineon Technologies

IRFBL3703

Номер детали производителя IRFBL3703
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK
Упаковка SUPER D2-PAK
В наличии 4039 pcs
Техническая спецификация IRFBL3703IR Part Numbering System
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4039 Infineon Technologies IRFBL3703 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства SUPER D2-PAK
Серии HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 76A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Упаковка / Super D2-Pak
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 8250 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 209 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 260A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IRFBL3703 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IRFBL3703

Связанные детали для IRFBL3703