Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TPH3208PD
Transphorm

TPH3208PD

Номер детали производителя TPH3208PD
производитель Transphorm
Подробное описание GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Упаковка TO-220AB
В наличии 3933 pcs
Техническая спецификация Mult Devices EOL 02/Apr/2018
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Transphorm.У нас есть кусочки 3933 Transphorm TPH3208PD в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.6V @ 300µA
Vgs (макс.) ±18V
Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
Поставщик Упаковка устройства TO-220AB
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 13A, 8V
Рассеиваемая мощность (макс) 96W (Tc)
Упаковка / TO-220-3
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 760 pF @ 400 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 14 nC @ 8 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A (Tc)

Рекомендуемые продукты

TPH3208PD DataSheet PDF

Техническая спецификация