TPH2R608NH,L1Q
| Номер детали производителя | TPH2R608NH,L1Q |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP |
| Упаковка | 8-SOP Advance (5x5) |
| В наличии | 168864 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.61 | $0.545 | $0.425 | $0.351 | $0.277 | $0.258 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 168864 Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R608NH,L1Q в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 8-SOP Advance (5x5) |
| Серии | U-MOSVIII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 142W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerVDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 6000 pF @ 37.5 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 75 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 150A (Tc) |
| Базовый номер продукта | TPH2R608 |
Рекомендуемые продукты
-
TPH3202LS
GANFET N-CH 600V 9A 3PQFNTransphorm -
TPH2R805PL,LQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPH1R712MD,L1Q
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPH2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPH3202PD
GANFET N-CH 600V 9A TO220ABTransphorm -
TPH2R903PL,L1Q
PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-ADToshiba Semiconductor and Storage -
TPH2R506PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPH3205WSBQA
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3Transphorm -
TPH3206LD
GANFET N-CH 600V 17A PQFNTransphorm -
TPH2R306NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPH2900ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 33A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPH3205WSB
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3Transphorm -
TPH3206LDB
GANFET N-CH 650V 16A PQFNTransphorm -
TPH2R104PL,LQ
MOSFET N-CH 40V 100A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPH2R003PL,LQ
MOSFET N-CH 30V 100A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPH1R405PL,L1Q
MOSFET N-CH 45V 120A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage -
TPH3202PS
GANFET N-CH 600V 9A TO220ABTransphorm -
TPH2R306NH1,LQ
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZToshiba Semiconductor and Storage -
TPH3202LD
GANFET N-CH 600V 9A 4PQFNTransphorm -
TPH2R408QM,L1Q
MOSFET N-CH 80V 120A 8SOPToshiba Semiconductor and Storage