Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > XPN9R614MC,L1XHQ
Toshiba Semiconductor and Storage

XPN9R614MC,L1XHQ

Номер детали производителя XPN9R614MC,L1XHQ
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Упаковка 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
В наличии 166581 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.566 $0.506 $0.394 $0.326 $0.257 $0.24
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 166581 Toshiba Semiconductor and Storage XPN9R614MC,L1XHQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.1V @ 500µA
Vgs (макс.) +10V, -20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Серии Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 840mW (Ta), 100W (Tc)
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 175°C
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3000 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 40A (Ta)
Базовый номер продукта XPN9R614

Рекомендуемые продукты

XPN9R614MC,L1XHQ DataSheet PDF