Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > XPN6R706NC,L1XHQ
Toshiba Semiconductor and Storage

XPN6R706NC,L1XHQ

Номер детали производителя XPN6R706NC,L1XHQ
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Упаковка 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
В наличии 168740 pcs
Техническая спецификация Term of Use Statement
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.558 $0.499 $0.389 $0.321 $0.254 $0.237
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 168740 Toshiba Semiconductor and Storage XPN6R706NC,L1XHQ в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 300µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Серии U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 840mW (Ta), 100W (Tc)
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 175°C
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2000 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 40A (Ta)
Базовый номер продукта XPN6R706

Рекомендуемые продукты

XPN6R706NC,L1XHQ DataSheet PDF

Техническая спецификация