Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TPN2R703NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2R703NL,L1Q

Номер детали производителя TPN2R703NL,L1Q
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Упаковка 8-TSON Advance (3.1x3.1)
В наличии 214132 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.49 $0.437 $0.341 $0.282 $0.222 $0.208
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 214132 Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R703NL,L1Q в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.3V @ 300µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Серии U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2100 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 45A (Tc)
Базовый номер продукта TPN2R703

Рекомендуемые продукты

TPN2R703NL,L1Q DataSheet PDF