TPN1110ENH,L1Q
| Номер детали производителя | TPN1110ENH,L1Q |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON |
| Упаковка | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| В наличии | 178754 pcs |
| Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.612 | $0.548 | $0.428 | $0.353 | $0.279 | $0.26 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 178754 Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Серии | U-MOSVIII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 114mOhm @ 3.6A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerVDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 600 pF @ 100 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 200 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 7.2A (Ta) |
| Базовый номер продукта | TPN1110 |
Рекомендуемые продукты
-
TPN-80
TELPOWER FUSEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN-600
TELPOWER FUSEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPN14006NH,L1Q
MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADVToshiba Semiconductor and Storage -
TPN-90
TELPOWER FUSEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPN11003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADVToshiba Semiconductor and Storage -
TPN-500
TELPOWER FUSEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPN19008QM,LQ
MOSFET N-CH 80V 34A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN11006NL,LQ
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN-6
TELPOWER FUSEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPN2R304PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN2R203NC,L1Q
MOSFET N-CH 30V 45A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN1200APL,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSOToshiba Semiconductor and Storage -
TPN-70
TELPOWER FUSEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPN-60
TELPOWER FUSEEaton - Bussmann Electrical Division -
TPN11006PL,LQ
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN13008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 18A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN22006NH,LQ
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN1R603PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 80A 8TSONToshiba Semiconductor and Storage -
TPN1600ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADVToshiba Semiconductor and Storage