Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TPH1110ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1110ENH,L1Q

Номер детали производителя TPH1110ENH,L1Q
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Упаковка 8-SOP Advance (5x5)
В наличии 176250 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
5000 10000
$0.258 $0.248
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 176250 Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110ENH,L1Q в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства 8-SOP Advance (5x5)
Серии U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs 114mOhm @ 3.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 600 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 7 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 7.2A (Ta)
Базовый номер продукта TPH1110

Рекомендуемые продукты

TPH1110ENH,L1Q DataSheet PDF