Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK8S06K3L(T6L1,NQ)
TK8S06K3L(T6L1,NQ) Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

TK8S06K3L(T6L1,NQ)

Номер детали производителя TK8S06K3L(T6L1,NQ)
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Упаковка DPAK+
В наличии 164232 pcs
Техническая спецификация H440-4L-009P 30/Jan/2015
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.49 $0.437 $0.341 $0.282 $0.222
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 164232 Toshiba Semiconductor and Storage TK8S06K3L(T6L1,NQ) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства DPAK+
Серии U-MOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 25W (Tc)
Упаковка / TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 400 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8A (Ta)
Базовый номер продукта TK8S06

Рекомендуемые продукты

TK8S06K3L(T6L1,NQ) DataSheet PDF

Техническая спецификация