Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > TK8Q65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TK8Q65W,S1Q

Номер детали производителя TK8Q65W,S1Q
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
Упаковка I-PAK
В наличии 144777 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.658 $0.59 $0.474 $0.389 $0.323 $0.3 $0.289 $0.282
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 144777 Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q65W,S1Q в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.5V @ 300µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I-Pak
Серии DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670mOhm @ 3.9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 80W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Stub Leads, IPak
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 570 pF @ 300 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 7.8A (Ta)
Базовый номер продукта TK8Q65

Рекомендуемые продукты

TK8Q65W,S1Q DataSheet PDF