Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SSM6N35FE,LM
SSM6N35FE,LM Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

SSM6N35FE,LM

Номер детали производителя SSM6N35FE,LM
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Упаковка ES6
В наличии 1659780 pcs
Техническая спецификация Mosfets Prod GuideMarking Chg 08/Feb/2016
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.156 $0.114 $0.065 $0.043 $0.033 $0.029
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 1659780 Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35FE,LM в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства ES6
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 50mA, 4V
Мощность - Макс 150mW
Упаковка / SOT-563, SOT-666
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 9.5pF @ 3V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs -
FET Характеристика Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 180mA
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SSM6N35

Рекомендуемые продукты

SSM6N35FE,LM DataSheet PDF

Техническая спецификация