Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SSM6N16FE,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N16FE,L3F

Номер детали производителя SSM6N16FE,L3F
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
Упаковка ES6
В наличии 1414447 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.144 $0.108 $0.061 $0.04 $0.031 $0.027
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 1414447 Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE,L3F в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства ES6
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 10mA, 4V
Мощность - Макс 150mW (Ta)
Упаковка / SOT-563, SOT-666
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 9.3pF @ 3V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs -
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100mA (Ta)
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SSM6N16

Рекомендуемые продукты

SSM6N16FE,L3F DataSheet PDF