Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные > RN2711JE(TE85L,F)
RN2711JE(TE85L,F) Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

RN2711JE(TE85L,F)

Номер детали производителя RN2711JE(TE85L,F)
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Упаковка ESV
В наличии 1335379 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.189 $0.139 $0.079 $0.052 $0.04 $0.035
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 1335379 Toshiba Semiconductor and Storage RN2711JE(TE85L,F) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Поставщик Упаковка устройства ESV
Серии -
Резистор - основание эмиттера (R2) -
Резистор - основание (R1) 10kOhms
Мощность - Макс 100mW
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / SOT-553
Упаковка Tape & Reel (TR)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 200MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Базовый номер продукта RN2711

Рекомендуемые продукты

RN2711JE(TE85L,F) DataSheet PDF