RN2707JE(TE85L,F)
Номер детали производителя | RN2707JE(TE85L,F) |
---|---|
производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Подробное описание | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
Упаковка | ESV |
В наличии | 1025443 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.171 | $0.128 | $0.073 | $0.048 | $0.037 | $0.032 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 1025443 Toshiba Semiconductor and Storage RN2707JE(TE85L,F) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Тип транзистор | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | ESV |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 47kOhms |
Резистор - основание (R1) | 10kOhms |
Мощность - Макс | 100mW |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Упаковка / | SOT-553 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип установки | Surface Mount |
Частота - Переход | 200MHz |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Базовый номер продукта | RN2707 |
Рекомендуемые продукты
-
RN2709,LF
PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOHToshiba Semiconductor and Storage -
RN2708JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESVToshiba Semiconductor and Storage -
RN2705,LF
PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KOToshiba Semiconductor and Storage -
RN2710,LF
PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOHToshiba Semiconductor and Storage -
RN2711JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESVToshiba Semiconductor and Storage -
RN2705JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESVToshiba Semiconductor and Storage -
RN2710JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESVToshiba Semiconductor and Storage -
RN2704,LF
PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOHToshiba Semiconductor and Storage -
RN2706JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESVToshiba Semiconductor and Storage -
RN2707,LF
PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOHToshiba Semiconductor and Storage -
RN2703JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESVToshiba Semiconductor and Storage -
RN2702TE85LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USVToshiba Semiconductor and Storage -
RN2711(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USVToshiba Semiconductor and Storage -
RN2708,LF
PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOHToshiba Semiconductor and Storage -
RN2711,LF
PNP X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=IToshiba Semiconductor and Storage -
RN2712JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESVToshiba Semiconductor and Storage -
RN2706,LF
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KOToshiba Semiconductor and Storage -
RN2704JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESVToshiba Semiconductor and Storage -
RN2709JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESVToshiba Semiconductor and Storage -
RN2703,LF
PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOHToshiba Semiconductor and Storage