Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - RF > MT3S113TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113TU,LF

Номер детали производителя MT3S113TU,LF
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Упаковка UFM
В наличии 328172 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 25 100 250 500 1000
$0.249 $0.22 $0.199 $0.174 $0.153 $0.135 $0.107
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 328172 Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113TU,LF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 5.3V
Тип транзистор NPN
Поставщик Упаковка устройства UFM
Серии -
Мощность - Макс 900mW
Упаковка / 3-SMD, Flat Lead
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Коэффициент шума (дБ Typ @ F) 1.45dB @ 1GHz
Тип установки Surface Mount
Усиление 12.5dB
Частота - Переход 11.2GHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Базовый номер продукта MT3S113

Рекомендуемые продукты

MT3S113TU,LF DataSheet PDF