Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - RF > MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

Номер детали производителя MT3S111P(TE12L,F)
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Упаковка PW-MINI
В наличии 249263 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1000 2000
$0.139 $0.137
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 249263 Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111P(TE12L,F) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 6V
Тип транзистор NPN
Поставщик Упаковка устройства PW-MINI
Серии -
Мощность - Макс 1W
Упаковка / TO-243AA
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Коэффициент шума (дБ Typ @ F) 1.25dB @ 1GHz
Тип установки Surface Mount
Усиление 10.5dB
Частота - Переход 8GHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Базовый номер продукта MT3S111

Рекомендуемые продукты

MT3S111P(TE12L,F) DataSheet PDF