Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы > HN1B04FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-Y,LF

Номер детали производителя HN1B04FE-Y,LF
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Упаковка ES6
В наличии 1917213 pcs
Техническая спецификация Marking Chg 08/Feb/2016
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.105 $0.086 $0.045 $0.03 $0.02 $0.018
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 1917213 Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-Y,LF в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Тип транзистор NPN, PNP
Поставщик Упаковка устройства ES6
Серии -
Мощность - Макс 100mW
Упаковка / SOT-563, SOT-666
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Частота - Переход 80MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Ток - Коллектор Граничная (Макс) 100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 150mA
Базовый номер продукта HN1B04

Рекомендуемые продукты

HN1B04FE-Y,LF DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для HN1B04FE-Y,LF

Связанные детали для HN1B04FE-Y,LF