Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

HN1A01F-GR(TE85L,F

Номер детали производителя	HN1A01F-GR(TE85L,F
производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание	TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
Упаковка	SM6
В наличии	3880 pcs
Техническая спецификация	HN1A01F

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 3880 Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01F-GR(TE85L,F в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
Тип транзистор	2 PNP (Dual)
Поставщик Упаковка устройства	SM6
Серии	-
Мощность - Макс	300mW
упаковка	Cut Tape (CT)
Упаковка /	SC-74, SOT-457
Другие названия	HN1A01F-GR(TE85LFCT

Свойства продукта	Значение атрибута
Рабочая Температура	125°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Частота - Переход	80MHz
Подробное описание	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Ток - Коллектор Граничная (Макс)	100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	150mA