Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > GT30J65MRB,S1E
Toshiba Semiconductor and Storage

GT30J65MRB,S1E

Номер детали производителя GT30J65MRB,S1E
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание 650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-
Упаковка TO-3P(N)
В наличии 89858 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$0.9 $0.809 $0.65 $0.534 $0.443 $0.412 $0.397
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 89858 Toshiba Semiconductor and Storage GT30J65MRB,S1E в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 650 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 1.8V @ 15V, 30A
режим для испытаний 400V, 15A, 56Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C 75ns/400ns
Переключение энергии 1.4mJ (on), 220µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства TO-3P(N)
Серии -
Обратное время восстановления (ТИР) 200 ns
Мощность - Макс 200 W
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / TO-3P-3, SC-65-3
Упаковка Tube
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Тип ввода Standard
Тип IGBT -
Заряд затвора 70 nC
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 60 A
Базовый номер продукта GT30J65

Рекомендуемые продукты

GT30J65MRB,S1E DataSheet PDF