Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - сингл > GT30J341,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

GT30J341,Q

Номер детали производителя GT30J341,Q
производитель Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
Упаковка TO-3P(N)
В наличии 74779 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1 10 25 100 300 500 1000 2400 4900
$1.239 $1.113 $1.053 $0.912 $0.866 $0.777 $0.655 $0.622 $0.604
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 74779 Toshiba Semiconductor and Storage GT30J341,Q в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 600 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic 2V @ 15V, 30A
режим для испытаний 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C 80ns/280ns
Переключение энергии 800µJ (on), 600µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства TO-3P(N)
Серии -
Обратное время восстановления (ТИР) 50 ns
Мощность - Макс 230 W
Свойства продукта Значение атрибута
Упаковка / TO-3P-3, SC-65-3
Упаковка Tray
Рабочая Температура 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Тип ввода Standard
Ток - Коллектор Импульсные (ICM) 120 A
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 59 A
Базовый номер продукта GT30J341

Рекомендуемые продукты

GT30J341,Q DataSheet PDF