Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

GT10J312(Q)

Номер детали производителя	GT10J312(Q)
производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание	IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Упаковка	TO-220SM
В наличии	4679 pcs
Техническая спецификация	GT10J312

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Toshiba Semiconductor and Storage.У нас есть кусочки 4679 Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312(Q) в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)	600 V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic	2.7V @ 15V, 10A
режим для испытаний	300V, 10A, 100Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C	400ns/400ns
Переключение энергии	-
Поставщик Упаковка устройства	TO-220SM
Серии	-
Обратное время восстановления (ТИР)	200 ns
Мощность - Макс	60 W

Свойства продукта	Значение атрибута
Упаковка /	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Упаковка	Tube
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип установки	Surface Mount
Тип ввода	Standard
Тип IGBT	-
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)	20 A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)	10 A
Базовый номер продукта	GT10J312