GT10N10
Номер детали производителя | GT10N10 |
---|---|
производитель | Goford Semiconductor |
Подробное описание | N100V, 7A,RD<140M@10V,VTH1.5V~2. |
Упаковка | TO-252 |
В наличии | 1174991 pcs |
Техническая спецификация | GT10N10 |
Справочная цена (В долларах США)
2500 | 15000 | 30000 | 50000 |
---|---|---|---|
$0.047 | $0.043 | $0.039 | $0.036 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Goford Semiconductor.У нас есть кусочки 1174991 Goford Semiconductor GT10N10 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252 |
Серии | GT |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 3.5A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 17W (Tc) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 206 pF @ 50 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.3 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 7A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
GT10M-6/1DS-HU
CONN INLINE SOCKET HOUSINGHirose Electric Co Ltd -
GT10NS-2022SCF
CONN SOCKET CENTER TERMINAL CRIMHirose Electric Co Ltd -
GT10S-16DS-HU(24)
CONN INLINE SOCKET HOUSINGHirose Electric Co Ltd -
GT10P-COVER
CONNECTOR ACCESSORYHirose Electric Co Ltd -
GT10NP-2022SCF
CONNECTOR ACCESSORYHirose Electric Co Ltd -
GT10SC-2022PCF
CONN PLUG CENTER TERMINAL CRIMPHirose Electric Co Ltd -
GT10G131(TE12L,Q)
IGBT 400V 1W 8-SOICToshiba Semiconductor and Storage -
GT10R-2022SCF
CONN SOCKET CENTER TERMINAL CRIMHirose Electric Co Ltd -
GT11-1822SCF(70)
CONN SOCKET 18-22AWG CRIMP TINHirose Electric Co Ltd -
GT10D-33-24.4-0.25-0
THERMAL PAD 33X24.4MM PINKt-Global Technology -
GT10J312(Q)
IGBT 600V 10A 60W TO220SMToshiba Semiconductor and Storage -
GT10D-300-300-0.25-2A
THERMAL PAD 300X300MM PINKt-Global Technology -
GT10D-46-44.5-0.25-1A
THERMAL PAD 46X44.5MM PINKt-Global Technology -
GT10M-6/1DP-DS(70)
CONN PIN HEADER PCB R/AHirose Electric Co Ltd -
GT10D-32-25-0.25-0
THERMAL PAD 32X25MM PINKt-Global Technology -
GT11-1822PCF(70)
CONN PIN 18-22AWG CRIMP TINHirose Electric Co Ltd -
GT10S-16DS-CV
CONN COVERHirose Electric Co Ltd -
GT10M-6/1DS-CV4R(70)
CONN COVERHirose Electric Co Ltd -
GT10D-60-30-0.25-0
THERMAL PAD 60X30MM PINKt-Global Technology -
GT10S-16DS-HU
CONN WIRE TO BOARD 2MM SKT 16POSHirose Electric Co Ltd