Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

1N5407GHB0G

Номер детали производителя	1N5407GHB0G
производитель	Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание	DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Упаковка	DO-201AD
В наличии	6280 pcs
Техническая спецификация	1N5400G - 1N5408G

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Taiwan Semiconductor Corporation.У нас есть кусочки 6280 Taiwan Semiconductor Corporation 1N5407GHB0G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если	1 V @ 3 A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)	800 V
Технологии	Standard
Поставщик Упаковка устройства	DO-201AD
скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Серии	Automotive, AEC-Q101
Упаковка /	DO-201AD, Axial

Свойства продукта	Значение атрибута
Упаковка	Bulk
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 150°C
Тип установки	Through Hole
Ток - Обратный утечки @ Vr	5 µA @ 800 V
Текущий - средний выпрямленный (Io)	3A
Емкостной @ В.Р., F	25pF @ 4V, 1MHz
Базовый номер продукта	1N5407