1N5407BULK
Номер детали производителя | 1N5407BULK |
---|---|
производитель | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
Подробное описание | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
Упаковка | DO-201AD |
В наличии | 476457 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
500 |
---|
$0.071 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии EIC SEMICONDUCTOR INC..У нас есть кусочки 476457 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5407BULK в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 950 mV @ 3 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 800 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-201AD |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Упаковка / | DO-201AD, Axial |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Упаковка | Bag |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 800 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
Емкостной @ В.Р., F | 28pF @ 4V, 1MHz |
Рекомендуемые продукты
-
1N5407G
DIODE GEN PURP 800V 3A AXIALonsemi -
1N5407G A0G
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5407-B
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADDiodes Incorporated -
1N5407G-T
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADDiodes Incorporated -
1N5407G
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADSMC Diode Solutions -
1N5407G
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5407G B0G
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5407-G
DIODE GEN PURP 800V 3A DO27Comchip Technology -
1N5407
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADSMC Diode Solutions -
1N5407-E3/51
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N5407-E3/73
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N5407GH A0G
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5407GHA0G
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5407-TP
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADMicro Commercial Co -
1N5407GH
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5407-T
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADDiodes Incorporated -
1N5407-E3/54
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N5407
DIODE GEN PURP 800V 3A AXIALFairchild Semiconductor -
1N5407GHB0G
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5407-AP
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADMicro Commercial Co