1N5809
Номер детали производителя
1N5809
производитель
Solid State Inc.
Подробное описание
DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL
Упаковка
Axial
В наличии
104398 pcs
Техническая спецификация
Rectifiers
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Solid State Inc..У нас есть кусочки 104398 Solid State Inc. 1N5809 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта
Значение атрибута
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если
875 mV @ 4 A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс)
100 V
Технологии
Standard
Поставщик Упаковка устройства
Axial
скорость
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Серии
-
Обратное время восстановления (ТИР)
30 ns
Свойства продукта
Значение атрибута
Упаковка /
Axial
Упаковка
Bulk
Рабочая температура - Соединение
-65°C ~ 175°C
Тип установки
Through Hole
Ток - Обратный утечки @ Vr
5 µA @ 100 V
Текущий - средний выпрямленный (Io)
6A
Емкостной @ В.Р., F
-
Рекомендуемые продукты
1N5808/TR
RECTIFIER UFR,FRR
Microchip Technology
1N5809US.TR
DIODE GEN PURP 100V 6A
Semtech
1N5809URS
DIODE GP 100V 3A SQ-MELF B
Microchip Technology
1N5807US
DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF
Microchip Technology
1N5809E3
DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL
Microchip Technology
1N5807URS/TR
UFR,FRR
Microchip Technology
1N5809/TR
DIODE GEN PURP 100V 3A B AXIAL
Microchip Technology
1N5810
DIODE GEN PURP 6A AXIAL
Microchip Technology
1N5810
DIODE GEN PURP 125V 6A AXIAL
Solid State Inc.
1N5809
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Microchip Technology
1N5807US.TR
DIODE GEN PURP 50V 6A TR
Semtech Corporation
1N5809E3/TR
DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL
Microchip Technology
1N5808
DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG
Microchip Technology
1N5807US/TR
DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF
Microchip Technology
1N5808
DIODE GEN PURP 75V 6A AXIAL
Solid State Inc.
1N5809US
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
Microchip Technology
1N5809US/TR
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
Microchip Technology
1N5807URS
DIODE GEN PURP 50V 3A SQ-MELF B
Microchip Technology
1N5809URS/TR
UFR,FRR
Microchip Technology
1N5807/TR
DIODE GEN PURP 50V 3A
Microchip Technology
Техническая спецификация
DataShieT File обзор