1N5811TR
Номер детали производителя | 1N5811TR |
---|---|
производитель | Microsemi |
Подробное описание | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL |
Упаковка | B, Axial |
В наличии | 5490 pcs |
Техническая спецификация | 1N5807,9,11 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Microsemi.У нас есть кусочки 5490 Microsemi 1N5811TR в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 875mV @ 4A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 150V |
Поставщик Упаковка устройства | - |
скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 30ns |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | B, Axial |
Другие названия | 1N5811 1N5811E3 1N5811E3TR 1N5811E3TR-ND 1N5811TR-ND 1N5811TRTR |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 150V 6A Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5µA @ 150V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 6A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Номер базового номера | 1N5811 |
Рекомендуемые продукты
-
1N5810
DIODE GEN PURP 6A AXIALMicrochip Technology -
1N5812
DIODE GEN PURP 50V 20A DO4Solid State Inc. -
1N5811A/TR
DIODE GP REV 150V 3A B AXIALMicrochip Technology -
1N5812
DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AAMicrochip Technology -
1N5811E3/TR
DIODE GEN PURP 150V 3A B AXIALMicrochip Technology -
1N5811
DIODE GEN PURP 150V 6A AXIALSolid State Inc. -
1N5811
DIODE GEN PURP 150V 3A B AXIALMicrochip Technology -
1N5811USE3/TR
DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELFMicrochip Technology -
1N5811URS/TR
UFR,FRRMicrochip Technology -
1N5811AUS/TR
DIODE GP REV 150V 3A SQ-MELF BMicrochip Technology -
1N5811E3
DIODE GEN PURP 150V 3A B AXIALMicrochip Technology -
1N5811URS
DIODE GP 150V 3A SQ-MELF BMicrochip Technology -
1N5811C.TR
DIODE GEN PURP 150V 6A AXIALSemtech Corporation -
1N5812R
DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AAMicrochip Technology -
1N5811/TR
DIODE GEN PURP 150V 6A AXIALMicrosemi Corporation -
1N5811USE3
DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELFMicrochip Technology -
1N5810/TR
DIODE GEN PURP 6A AXIALMicrochip Technology -
1N5811U4
DIODE GEN PURP 150V 6A U4Microchip Technology -
1N5811US
DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELFMicrochip Technology -
1N5811US/TR
DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELFMicrochip Technology