Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STU3N65M6
STMicroelectronics

STU3N65M6

Номер детали производителя STU3N65M6
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 650V 3.5A IPAK
Упаковка I-PAK
В наличии 222130 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021New Molding Compound 13/Sep/2019Mult Change 03-May-2022STU3N65M6
Справочная цена (В долларах США)
3000
$0.207
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 222130 STMicroelectronics STU3N65M6 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.75V @ 250µA
Vgs (макс.) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I-PAK
Серии MDmesh™ M6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 45W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 150 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 6 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.5A (Tc)
Базовый номер продукта STU3N65

Рекомендуемые продукты

STU3N65M6 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для STU3N65M6

Связанные детали для STU3N65M6