Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STU1HN60K3
STU1HN60K3 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STU1HN60K3

Номер детали производителя STU1HN60K3
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
Упаковка TO-251 (IPAK)
В наличии 221261 pcs
Техническая спецификация STD1HN60K3, STU1HN60K3DK OBS NOTICE
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.383 $0.342 $0.266 $0.22 $0.174
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 221261 STMicroelectronics STU1HN60K3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Vgs (макс.) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства TO-251 (IPAK)
Серии SuperMESH3™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 600mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 27W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка Tube
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 140 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.2A (Tc)
Базовый номер продукта STU1HN60

Рекомендуемые продукты

STU1HN60K3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для STU1HN60K3

Связанные детали для STU1HN60K3