Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STFI11NM65N
STMicroelectronics

STFI11NM65N

Номер детали производителя STFI11NM65N
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
Упаковка I2PAKFP (TO-281)
В наличии 4306 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 01/Aug/2014STx(x)11NM65N
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 4306 STMicroelectronics STFI11NM65N в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (макс.) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства I2PAKFP (TO-281)
Серии MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 455mOhm @ 5.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 25W (Tc)
Упаковка / TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Упаковка Tube
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 800 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 650 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11A (Tc)
Базовый номер продукта STFI11N

Рекомендуемые продукты

STFI11NM65N DataSheet PDF

Техническая спецификация