Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > STB26NM60ND
STB26NM60ND Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

STB26NM60ND

Номер детали производителя STB26NM60ND
производитель STMicroelectronics
Подробное описание MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Упаковка D²PAK (TO-263)
В наличии 5963 pcs
Техническая спецификация STx26NM60NDIPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014IPD/15/9345 04/Aug/2015
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии STMicroelectronics.У нас есть кусочки 5963 STMicroelectronics STB26NM60ND в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства D²PAK (TO-263)
Серии FDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 10.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 190W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1817 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 54.6 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 21A (Tc)
Базовый номер продукта STB26N

Рекомендуемые продукты

STB26NM60ND DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для STB26NM60ND

Связанные детали для STB26NM60ND